赵银女
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn.1673-2812.2015.04.018
用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO靶材在石英玻璃衬底制备Ga2 O3 /ITO周期多层膜.样品在300～800℃真空退火1小时,研究退火温度对薄膜光学和电学性能的影响.400℃退火的Ga2O3/ITO周期多层膜面电阻和电阻率低至68.76Ω/□和3.47×10-3Ω·cm,载流子浓度和霍尔迁移率高达1.30×1020 cm-3和14.02cm2 V-1 s-1.退火温度超过500℃后,Ga2O3膜层和ITO膜层之间开始相互扩散,薄膜结晶质量和导电性变差.所有退火薄膜在紫外-可见光范围的平均光学透过率高于83％,光学带边吸收随退火温度增加发生蓝移,光学带隙从4.59eV增加到4.78eV.
关键词:
磁控溅射
,
多层膜
,
透明导电膜
,
退火
,
光学性质
,
电学性质
何恺
,
吴文浩
,
陈步华
,
吴婕婷
,
徐传孟
,
徐东
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.18.014
通过溶胶-凝胶法制备了一种稀土 Ce 掺杂的ZnO-Bi2 O3压敏薄膜,对薄膜进行了XRD、AFM、介电与压敏性能的表征.结果表明,Ce 掺杂不会影响ZnO-Bi2 O3压敏薄膜的晶体结构,但是会减小 ZnO-Bi2 O3压敏薄膜的晶粒尺寸.Ce 掺杂会降低 ZnO-Bi2 O3压敏薄膜的漏电流,减小材料的介电损耗,提升ZnO-Bi2 O3压敏薄膜的非线性性能.当 Ce 掺杂量达到0．3％(摩尔分数)时,ZnO-Bi2 O3压敏薄膜的压敏电压达到了175 V/mm,漏电流降低至502μA.
关键词:
ZnO
,
稀土
,
显微组织
,
压敏电阻
,
电学性能
周森安
,
郭进武
,
张森
,
邵军
,
李军波
耐火材料
doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2014.06.012
按照ZrB2和SiC的质量比为7525配料，混料、烘干、热压烧结后，经线切割加工成ZrB2－SiC复合陶瓷直型发热体，研究了发热体的物相组成、微观形貌及在空气和氩气气氛下发热温度随电流电压的变化规律。结果表明，ZrB2－SiC复合陶瓷由均匀分布在ZrB2基体晶界处的SiC颗粒和尺寸小于10μm的等轴状基体ZrB2颗粒组成；在空气和氩气气氛下，ZrB2－SiC复合陶瓷发热体的温度均随电流、电压及加热时间的延长呈稳步增大趋势，同时空气气氛下发热体的电阻随温度升高而增大，并呈现线性变化；在空气和氩气气氛下，ZrB2－SiC复合陶瓷发热体表面温度分别达到1800和2200℃。同时，与铬酸镧和氧化锆发热体相比，其电压、电阻变化较小，电流较大。
关键词:
ZrB2-SiC复合陶瓷
,
发热体
,
电性能
,
温度
柳听前
,
林啸
,
周志东
,
程璇
,
张颖
功能材料
通过设计组分制备出综合性能优异的铁电陶瓷（1-x）PZT-x（0.2PFN-0.2PZN-0.6PNN）（x取0.1、0.2、0.3、0.4和0.5）,确定其准同型相界,并研究了铁电畴结构与材料宏观性能的关系。XRD结果表明,随着A（B′B″）O3型弛豫铁电成分含量的增加材料由四方相向三方相转变;透射电镜结果显示,样品的铁电畴由较大的鲱鱼骨状畴逐渐变为弥散的畴结构形态,畴结构的变化对材料的性能产生很大影响。介电温谱表明,随x增大居里温度逐渐降低,x≥0.3时材料表现出弛豫铁电体的性质,x=0.3时室温介电常数达到最大值3050。x=0.2时材料表现出优良的介电、压电和铁电性能,压电系数取最大值485pC/N,剩余极化强度达最大值37μC/cm2,居里温度对应的介电常数达最大值22000。综上所述,该体系材料的准同型相界位于0.2～0.3。
关键词:
铁电陶瓷
,
准同型相界
,
微观结构
,
电性能
黄涛
,
吴波
,
肖定全
,
吴家刚
,
刘超
,
朱建国
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.07.011
采用传统固相法制备了(0．995－x)K0．48 Na0．52 NbO3-0．005BiCoO3-xBi0．5 Na0．5 ZrO3(KNN-0．005BC-xBNZ,x＝0~0．045)系无铅压电陶瓷,研究了Bi0．5 Na0．5 ZrO3的引入对KNN基无铅压电陶瓷相结构和电学性能的影响.研究结果表明,BNZ的引入能够同时使KNN陶瓷的正交-四方相变温度(TO-T)向低温方向移动,三方-正交相变温度(TR-O)向高温方向移动.当0．03＜x≤0．04时,陶瓷在室温附近正交-四方(O-T)相和三方-正交(R-O)相(即R-O-T相)共存,使陶瓷的电学性能得到大幅提高；当x＝0．035时,陶瓷具有最优的电学性能：d33＝320 pC/N,kp＝52％,Pr＝19．7μC/cm2,εr＝1400,tanδ＝2．5％,TC＝335℃.
关键词:
无铅压电陶瓷
,
KNN
,
新型相界构建
,
电学性能
张杨
,
范树景
,
王红英
,
李国晶
,
赵淑金
材料导报
采用溶胶-凝胶法在玻璃基底上制备掺杂铝的氧化锌薄膜.研究了不同的铝掺杂浓度、薄膜厚度以及退火温度对电阻率的影响,结果表明掺杂铝摩尔分数为2%、退火温度在550℃时电阻率最低,电阻率随着薄膜厚度的增加而减小.通过XRD和SEM对薄膜的组织结构和形貌进行了表征,结果表明样品表面相对平整、致密,AZO薄膜保持着ZnO六角纤锌矿结构,说明了Al原子对Zn原子的有效替位.
关键词:
AZO薄膜
,
溶胶-凝胶法
,
电学性能
